阿斯麦赢得台积电和三星承诺 新一代EUV光刻机获强力“护航”

2026-09-11 · 超牛网

荷兰 光刻机 制造商 阿斯麦 （ASML）最新宣布，将与其主要客户合作，生产其最先进的光刻设备，用于开发由 英伟达 等公司设计的大型 数据中心 芯片。 9月8日， 阿斯麦 接连发布三条公告称，宣布与 台积电 、三星 电子 及 英特尔 推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。 其中， 台积电 计划自2030年起将 阿斯麦 High

荷兰 光刻机 制造商 阿斯麦 （ASML）最新宣布，将与其主要客户合作，生产其最先进的光刻设备，用于开发由 英伟达 等公司设计的大型 数据中心 芯片。

9月8日， 阿斯麦 接连发布三条公告称，宣布与 台积电 、三星 电子 及 英特尔 推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。

其中， 台积电 计划自2030年起将 阿斯麦 High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产； 英特尔 方面则表示，其目前已处理了超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。

对于此次合作，三星 电子 周二回应称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。

阿斯麦生产的光刻工具，通过将光照射到包含芯片图案的掩模上，将芯片图案打印在硅晶圆上。

该公司广泛使用的EUV设备，单次曝光的面积约为800平方毫米，目前 英伟达 、谷歌等企业所设计的芯片均能达到这一极限。可作对比的是，12英寸芯片的直径为300毫米，有效作业面积通常在70000平方毫米左右。

阿斯麦即将推出的下一代High NA的EUV设备，能够打印更精细的芯片。但目前由于使用了更小的掩模，仍存在芯片曝光尺寸上限问题。

阿斯麦本周表示，计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模 数据中心 芯片相当的芯片。据了解，向新型High NA设备配备更大尺寸的掩模，将有助于推动这些设备在大规模生产中的更广泛应用。

阿斯麦还计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年实现该新技术的量产能力。

ASML首席技术官Marco Pieters表示，“如果我们能成功实现这一目标，整个行业都将看到这些系统产能提升40%。”

值得一提的是， SK海力士 最新在一份声明中表示，公司正在评估是否参与该联盟，以推进12英寸掩模的引入，并指出其目标是到2028年High-NA EUV工艺应用于DRAM的大规模生产。